SDH8594ES是內(nèi)置高壓MOS管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源（PSR），采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。并且集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻。
采用SDH8594ES設計系統(tǒng)，無需光耦，可省去次級反饋控制、環(huán)路補償，精簡電路、降低系統(tǒng)成本。SDH8594ES適用8~12W輸出功率，具有可調(diào)節(jié)線損補償功能和內(nèi)置峰值電流補償功能。
原邊控制模式
高精度恒流恒壓控制
低啟動電流
可調(diào)節(jié)輸出電壓電流
可調(diào)節(jié)線損補償
內(nèi)置650V MOSFET
內(nèi)置高壓啟動
滿足75mW待機標準
前沿消隱
無需補償電容
過溫保護
VCC過壓保護
輸出過壓保護
欠壓鎖定
逐周期限流
輸出短路保護
過流保護
最大導通時間保護
| 產(chǎn)品名稱 | 封裝形式 | 打印名稱 | 環(huán)保等級 | 包裝 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| SDH8594ES | SOP-8-225-1.27 | SDH8594E | 無鹵 | 料管 | |
| SDH8594ESTR | SOP-8-225-1.27 | SDH8594E | 無鹵 | 編帶 |
| 標題 | 類型 | 大小 (KB) | 日期 | 下載最新中文版本 |
|---|---|---|---|---|
| SDH8594ES | 265 | 2024-01-05 | SDH8594ES簡要版說明書 |
