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IGBT及其他功率模塊
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SDH8593AS
內(nèi)置高壓MOS管的高精度原邊控制開(kāi)關(guān)電源

SDH8593AS是內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。并且集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻。

采用SDH8593AS設(shè)計(jì)系統(tǒng)，無(wú)需光耦，可省去次級(jí)反饋控制、環(huán)路補(bǔ)償，精簡(jiǎn)電路、降低系統(tǒng)成本。SDH8593AS適用8~10W輸出功率，具有可調(diào)節(jié)線損補(bǔ)償功能和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償功能。


主要特點(diǎn)

  • 原邊控制模式

  • 高精度恒流恒壓控制

  • 低啟動(dòng)電流

  • 可調(diào)節(jié)輸出電壓電流

  • 可調(diào)節(jié)線損補(bǔ)償

  • 內(nèi)置650V MOSFET

  • 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)

  • 滿足75mW待機(jī)標(biāo)準(zhǔn)

  • 前沿消隱

  • 無(wú)需補(bǔ)償電容

  • 過(guò)溫保護(hù)

  • VCC過(guò)壓保護(hù)

  • 輸出過(guò)壓保護(hù)

  • 欠壓鎖定

  • 逐周期限流

  • 輸出短路保護(hù)

  • 過(guò)流保護(hù)

  • 最大導(dǎo)通時(shí)間保護(hù)


產(chǎn)品規(guī)格分類
產(chǎn)品名稱 封裝形式 打印名稱 環(huán)保等級(jí) 包裝 備注
SDH8593ASTR SOP-7-225-1.27 SDH8593AS 無(wú)鹵 編帶
SDH8593AS SOP-7-225-1.27 SDH8593AS 無(wú)鹵 料管
內(nèi)部框圖

繪圖1.png

技術(shù)文檔
標(biāo)題 類型 大小 (KB) 日期 下載最新中文版本
SDH8593AS PDF 249 2024-01-05 SDH8593AS 簡(jiǎn)要版說(shuō)明書
封裝外形圖