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新聞資訊
士蘭微電子榮膺“2017年度浙江省科技進步一等獎”
2018.04.12

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4月11日,2017年度浙江省科學技術獎勵大會在浙江省人民大會堂舉行,士蘭微電子智能功率模塊團隊研發(fā)成功的 “高速低功耗600V以上多芯片高壓模塊”項目榮獲2017年度浙江省科學技術進步一等獎。省委書記、省人大常委會主任車俊,省委副書記、省長袁家軍等相關部門領導出席大會。袁家軍省長為本項目頒獎。


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該項目第一完成人證書


本次獲獎項目“高速低功耗600V以上多芯片高壓模塊”是在國家科技重大02專項的支持下,士蘭微電子通過多年努力,經(jīng)芯片設計技術的提升、現(xiàn)有高壓驅(qū)動集成電路和高壓功率電力電子器件IGBT等芯片的工藝優(yōu)化、建設功率模塊封裝生產(chǎn)線,構(gòu)建了面向汽車電子、家用電器的工業(yè)控制應用的完整的多芯片電力電子模塊設計與生產(chǎn)制造體系,形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、芯片全國產(chǎn)化規(guī)?;呐可a(chǎn)能力,極大地緩解了高壓模塊的核心技術目前仍掌握在國外少數(shù)發(fā)達地區(qū)企業(yè)手中的困境,項目成果產(chǎn)品已大量出貨給各大家電和工業(yè)變頻企業(yè),市場接受度與日俱增。


士蘭的高壓模塊產(chǎn)品不但性價比高,而且在耐熱、絕緣耐壓、抗短路能力等方面具有諸多優(yōu)勢。產(chǎn)品已廣泛應用于空調(diào)、冰箱、洗衣機、風扇、工業(yè)控制等各領域的變頻驅(qū)動,產(chǎn)品耐壓覆蓋500V以上,電流覆蓋2A-30A。模塊內(nèi)置6個低IGBT/MOSFET等低損耗功率器件;內(nèi)置高壓柵級驅(qū)動電路(HVIC);內(nèi)置欠壓保護和過熱、過流保護以及帶阻流電阻的自舉二極管;具有熱阻低、功率大、魯棒性好的特點。


會上,袁省長發(fā)表講話,他首先對2017年度浙江省科學技術進步獎獲得者、獲獎單位表示熱烈的祝賀,對全省廣大科技工作者表示誠摯的問候和崇高的敬意。袁省長表示,希望獲獎者再接再厲,勇攀高峰,再創(chuàng)佳績,希望全省科技工作者以獲獎者為榜樣,崇尚先進、學習先進,努力走在前列,為建設科技強省做出新的貢獻。


據(jù)悉,本次浙江省科學技術獎勵大會共授予3人浙江省科學技術重大貢獻獎,授予27個項目浙江省自然科學獎、7個項目浙江省技術發(fā)明獎、252個項目浙江省科學技術進步獎。在此,特向公司高壓模塊團隊表示祝賀,也希望大家不忘初芯,繼續(xù)努力開展科技攻關,加強技術研發(fā)創(chuàng)新能力,為集成電路半導體產(chǎn)業(yè)添磚加瓦。