2023年5月24-26日，SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會，在上海新國際博覽中心如期開展。士蘭微電子作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)先者，向來訪者展示了應(yīng)用于光伏、新能源的多款高性能功率模塊、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等產(chǎn)品和方案。本次展品主要聚焦三大亮點：一是士蘭光伏儲能模塊產(chǎn)品，二是士蘭光伏新能源IGBT器件產(chǎn)品方案，三是士蘭SiC器件產(chǎn)品方案，吸引了大量現(xiàn)場客戶和觀眾駐足觀看和交流。
一、士蘭光伏儲能模塊
士蘭光伏儲能模塊產(chǎn)品，涵蓋了工商業(yè)、組串電站、儲能、集中式電站等領(lǐng)域，尤其在逆變器產(chǎn)品方面表現(xiàn)優(yōu)異。
1、工商業(yè)逆變器
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（INPC）——SGM450TL7D3TFD
? 使用場合：工商業(yè)逆變模塊，輸出功率125kW；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻650V IGBT，開關(guān)損耗??；
? 封裝特性：采用士蘭D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
2、組串電站逆變器
推薦產(chǎn)品：升壓模塊（飛夸電容boost）——SGM400DCD10D3BTFD
? 使用場合：組串電站MPPT升壓，面板單路電流60A；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗??；
? 封裝特性：采用士蘭D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（ANPC）——SGM400TL10A7BTFD
? 使用場合：組串電站逆變模塊，輸出功率225kW；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗小；
?封裝特性：采用士蘭A7封裝，采用絕緣DBC直接散熱。
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（ANPC）——SGM600TL10D5TFD
? 使用場合：組串電站逆變模塊，輸出功率320kW；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗??；
?封裝特性：采用士蘭D5封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
3、儲能逆變器
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（INPC）——SGM225TL12D4DTFD
? 使用場合：儲能逆變模塊，輸出功率100kW；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗小；
? 封裝特性：采用士蘭D4封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
4、集中式逆變器
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（半橋）——SGM800HF12A3TFD
? 使用場合：集中式逆變模塊；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗小，可多并聯(lián)應(yīng)用；
? 封裝特性：采用士蘭A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（半橋）——SGM800HF12B4TFD
? 使用場合：集中式逆變模塊；
? 電氣特性：采用士蘭5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗小，可多并聯(lián)應(yīng)用；
?封裝特性：采用士蘭A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
二、士蘭IGBT器件產(chǎn)品方案
士蘭IGBT器件產(chǎn)品，隨著8吋和12吋產(chǎn)能的建設(shè)，實現(xiàn)研發(fā)和工藝的顯著提升，其中FS5 Trench IGBT 量產(chǎn)，650V IGBT合封SiC SBD 量產(chǎn)，車規(guī)級IGBT 量產(chǎn)，12吋 IGBT 量產(chǎn)，并且新一代工藝的IGBT和大功率 IGBT產(chǎn)品研發(fā)工作也在順利推進(jìn)中。
三、士蘭SiC器件產(chǎn)品方案
2022年，士蘭在SiC器件產(chǎn)品的研發(fā)上取得了新的突破，650V SBD 研發(fā)成功，1200V SBD 研發(fā)成功，明鎵6吋SiC晶圓量產(chǎn)通線，第二代1200V SiC MOS 研發(fā)成功，參數(shù)性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
光伏新能源應(yīng)用——士蘭1200V 40mΩ SiC MOS
SCDP120R040NP4B 采用士蘭微電子碳化硅技術(shù)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效、高功率密度等特點。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
特點：
? 66A，1200V，RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V
? 碳化硅技術(shù)
? 開關(guān)損耗低
? 低反向恢復(fù)電荷
? 降低散熱要求
? 100%雪崩測試
? 無鉛管腳鍍層
? 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
光伏新能源應(yīng)用——士蘭1200V 30A SiC SBD
SCDP30S120P2 采用士蘭微電子碳化硅外延工藝制造而成的肖特基整流二極管，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷和輔助電源、光伏逆變器等領(lǐng)域。
特點：
? 30A，1200V
? 零反向恢復(fù)電流
? 正溫度系數(shù)
? 低開關(guān)損耗
? 散熱要求低
四、現(xiàn)場掠影
士蘭微電子利用自身在高壓智能功率模塊技術(shù)、第三代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)、綠色電源芯片技術(shù)等多個芯片設(shè)計領(lǐng)域的積累，以及不斷強化的工藝平臺開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產(chǎn)能力、先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，為光伏、新能源客戶提供優(yōu)質(zhì)的芯片產(chǎn)品系列和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案，助力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。
